Samsung представляет революционную видеопамять GDDR4 (4 ГГц)
Samsung Electronics, один из ведущих мировых производителей памяти, представил на ISSCC новые чипы памяти GDDR4, которые работают на 40% быстрее, чем рассчитано для этого типа памяти, но потребляют бОльшую мощность.
Экспериментальные 512 МБ GDDR4 чипы памяти от Samsung произведены по 80 нм техпроцессу и рассчитаны на рабочее напряжение от 1,4 В до 2,1 В. Скорость передачи данных 4 Гб/сек (4 Гигабита в секунду или 4 ГГц). В данном случае рабочее напряжение было 2 В.
Память GDDR4 на частоте 4 ГГц обеспечивает пропускную способность в 16 Гб/сек и если бы такие микросхемы памяти были бы установлены на современных видеокартах, которые имеют шину памяти 256 бит, то пиковая пропускная способность данных была бы 128 Гб/сек, что в два раза больше, чем у ATI Radeon X1950 XTX (единственная видеокарта на рынке, имеющая GDDR4 видеопамять).
Для грядущих видеокарт с 512 разрядным интерфейсом памяти, новая память от Samsung сможет обеспечить пиковую пропускную способность в 256 Гб/сек, что примерно в три раза выше, чем у сегодняшней NVIDIA GeForce 8800 GTX.
Изначально ожидалось, что такие показатели будут достигнуты не ранее 2009 года, однако случилось это намного раньше. Samsung пока не раскрыли подробностей, когда память поступит в массовое производство, но не стоит ожидать такую память ранее чем в конце 2007 - начале 2008. |
