VictorVG2
| Редактировать | Цитировать | Сообщить модератору Опыт, делюсь результатом: Связка: Intel Core i3-2120 + GIGABYTE Z68M-D2H + 2 х 8 ГB SK Hynix HMT41GU6BFR8A-PB (11.0-11-11-28, 1,35V, SK Hynix Original) - проблем не наблюдаю, правда эта память согласно спецификации изготовителя двух режимная - может работать и как DDR3L при 1,35V и как DDR3 при 1,5V с теми же таймингами что и при 1,35V. Сейчас эти модули работают как DDR3L и сбоев нет. Результат замены ОЗУ с J RAM DDR3-1600 (11,0-11-11-29 Cr=1, чипы судя по SPD - Micron, ITC отбраковка Micron - заводская маркировка на микросхемах забита буквами S) - несколько более высокое быстродействие ЦП в тесте Linpak 10000x10000 - 41,7820 GFlops пик -> 42.1095 GFlops пик при том же оборудовании, но всё в пределах погрешности измерений. Главное что наблюдаемое сокращение времени решения рабочих лежит в пределах 18% - 20%. Сделал фотографии модулей J RAM и маркировки на чипах: слева странные (?) планки J RAM - я такие встречаю впервые, справа оригинальные Samsung: маркировка микросхем на планках J RAM: | Отправлено: 11:27 24-12-2015 | Исправлено: VictorVG2, 20:04 24-12-2015 |
|