Rok2y
Full Member | Редактировать | Профиль | Сообщение | Цитировать | Сообщить модератору
Вот информация по материнской плате:
Свойства системной платы:
ID системной платы 08/27/2003-nVidia-nForce-6A61BPAIC-00
Системная плата Epox EP-8RDA3(I)/8RDAE(I)
Свойства шины FSB:
Тип шины DEC Alpha EV6
Ширина шины 64 бит
Реальная частота 134 МГц (DDR)
Эффективная частота 268 МГц
Пропускная способность 2148 Мб/с
Свойства шины памяти:
Тип шины Dual DDR SDRAM
Ширина шины 128 бит
Соотношение DRAM:FSB 1:1
Реальная частота 134 МГц (DDR)
Эффективная частота 268 МГц
Пропускная способность 4295 Мб/с
Свойства шины чипсета:
Тип шины HyperTransport v1.0
Ширина шины 8 бит
Физическая информация о системной плате:
Число гнёзд для ЦП 1 Socket 462
Разъёмы расширения 5 PCI, 1 AGP
Разъёмы ОЗУ 3 DDR DIMM
Встроенные устройства Audio
Форм-фактор ATX
Размеры системной платы 240 mm x 300 mm
Чипсет системной платы nForce2-SPP/400
Производитель системной платы:
Фирма EPoX Europe B.V.
Информация о продукте http://www.epox.nl/products/?product_cat_id=1
Загрузка обновлений BIOS http://www.epox.nl/downloads/bios/?product_cat_id=1
Вот информация по чипсетам:
Чипсет
--------------------------------------------------------------------------------
[ Северный мост: nVIDIA nForce2 Ultra 400 (Crush18) ]
Свойства северного моста:
Северный мост nVIDIA nForce2 Ultra 400 (Crush18)
Поддерживаемые скорости FSB FSB200, FSB266, FSB333, FSB400
Поддерживаемые типы памяти DDR-200 SDRAM, DDR-266 SDRAM, DDR-333 SDRAM, DDR-400 SDRAM
Версия C1
Тип корпуса 840 Pin BGA
In-Order Queue Depth 8
Контроллер памяти:
Тип Dual Channel (128 бит)
Активный режим Dual Channel (128 бит)
Тайминги памяти:
CAS Latency (CL) 2.5T
RAS To CAS Delay (tRCD) 3T
RAS Precharge (tRP) 3T
RAS Active Time (tRAS) 6T
Row Cycle Time (tRC) 9T
Row Refresh Cycle Time (tRFC) 10T
Command Rate (CR) 1T
RAS To RAS Delay (tRRD) 2T
Read To Read Delay (tRTR) 2T
Read To Write Delay (tRTW) 4T
Write To Read Delay (tWTR) 3T
Коррекция ошибок:
ECC Не поддерживается
ChipKill ECC Не поддерживается
RAID Не поддерживается
ECC Scrubbing Не поддерживается
Разъёмы памяти:
Разъём DRAM #1 256 Мб (DDR SDRAM)
Разъём DRAM #2 256 Мб (DDR SDRAM)
Контроллер AGP:
Версия AGP 3.00
Статус AGP Разрешено
AGP-устройство nVIDIA GeForce4 Ti 4200 with AGP8X
Размер апертуры AGP 64 Мб
Поддерживаемые скорости AGP 1x, 2x, 4x, 8x
Текущая скорость AGP 8x
Fast-Write Поддерживается, Разрешено
Side Band Addressing Поддерживается, Запрещено
Тактовый генератор:
AGP 66.7 МГц
Производитель чипсета:
Фирма NVIDIA Corporation
Информация о продукте http://www.nvidia.com/page/mobo.html
Загрузка драйверов http://www.nvidia.com/content/drivers/drivers.asp
Обновление драйверов http://driveragent.com?ref=59
[ Южный мост: nVIDIA MCP2 ]
Свойства южного моста:
Южный мост nVIDIA MCP2
Версия A4
Тип корпуса 484 Pin BGA
Аудиоконтроллер AC'97:
Тип аудиоконтроллера nVIDIA MCP2
Имя кодека C-Media CMI9739(A)
ID кодека 434D4961h
Выход S/PDIF Поддерживается
Тактовый генератор:
Контроллер USB2 47.7 МГц
Производитель чипсета:
Фирма NVIDIA Corporation
Информация о продукте http://www.nvidia.com/page/mobo.html
Загрузка драйверов http://www.nvidia.com/content/drivers/drivers.asp
Обновление драйверов http://driveragent.com?ref=59
Вот информация по установленной оперативной памяти
[ DIMM1: 256 Мб PC2700 DDR SDRAM ]
Свойства модуля памяти:
Серийный номер Нет
Размер модуля 256 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC2700 (166 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
@ 133 МГц 2.0-3-3-6 (CL-RCD-RP-RAS) / 8-10-2 (RC-RFC-RRD)
Функции модуля памяти:
Early RAS# Precharge Не поддерживается
Auto-Precharge Не поддерживается
Precharge All Не поддерживается
Write1/Read Burst Не поддерживается
Buffered Address/Control Inputs Не поддерживается
Registered Address/Control Inputs Не поддерживается
On-Card PLL (Clock) Не поддерживается
Buffered DQMB Inputs Не поддерживается
Registered DQMB Inputs Не поддерживается
Differential Clock Input Поддерживается
Redundant Row Address Не поддерживается
[ DIMM3: Samsung M3 68L3223ETM-CCC ]
Свойства модуля памяти:
Имя модуля Samsung M3 68L3223ETM-CCC
Серийный номер 06051B1Ch (471532806)
Размер модуля 256 Мб (1 rank, 4 banks)
Тип модуля Unbuffered
Тип памяти DDR SDRAM
Скорость памяти PC3200 (200 МГц)
Ширина модуля 64 bit
Вольтаж модуля SSTL 2.5
Метод обнаружения ошибок Нет
Частота регенерации Сокращено (7.8 us), Self-Refresh
Тайминги памяти:
@ 200 МГц 3.0-3-3-8 (CL-RCD-RP-RAS) / 11-14-2 (RC-RFC-RRD)
@ 166 МГц 2.5-3-3-7 (CL-RCD-RP-RAS) / 10-12-2 (RC-RFC-RRD)
Функции модуля памяти:
Early RAS# Precharge Не поддерживается
Auto-Precharge Не поддерживается
Precharge All Не поддерживается
Write1/Read Burst Не поддерживается
Buffered Address/Control Inputs Не поддерживается
Registered Address/Control Inputs Не поддерживается
On-Card PLL (Clock) Не поддерживается
Buffered DQMB Inputs Не поддерживается
Registered DQMB Inputs Не поддерживается
Differential Clock Input Поддерживается
Redundant Row Address Не поддерживается
Как я сам понял материнская плата - у меня очень даже ничего! Вроде как должна поддерживать шину 400...
А вот память говно полное.
В связи с этим несколько вопросов.
1. Прежний вопрос - определиться ли планка 512 мегабайт (я так понимаю что она будет работать на минимальной частоте)
2. Предположим, что существующую память я продам. Тогда как дучше поступить: купить две по 512 и настроить их на двух канальную работу или же купить одну планку на 1 гигабайт?
3. У меня есть выбор среди следующих производителей:
а) Модуль памяти DDR 1Gb PC-400 Hynix
б) Модуль памяти DDR 512Mb PC-400 Kingmax
в) Модуль памяти DDR 512Mb PC-400 Patriot
Какой лучше?
Спасибо!
|
Всего записей: 501 | Зарегистр. 13-04-2004 | Отправлено: 10:19 25-10-2007 | Исправлено: Rok2y, 10:37 25-10-2007 |
|
Для Висты, шоб пощупать ее